Сканирующая электронная микроскопия

Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.

Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час

Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.

Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды

Технические характеристики:
Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;
Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;
Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;
Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;
Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;
Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);
Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;
Полный автоматический контроль.

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

Исследование морфологии поверхности на сканирующем электронном микроскопе

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии

Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии

Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM