Рентгеноструктурные анализы и тесты

Измерения параметров кристаллической решетки, качественного и количественного фазового состава кристаллических и поликристаллических тонких пленок, дисперсных систем и структур на их основе



11 000.00 

Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии

+


145 000.00 

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

+

20 000.00 

Исследование кристаллической структуры твердотельных материалов, определение качественного и количественного фазового состава и структуры твердых тел, Рентгеноструктурный анализ на дифрактометре D8 DISCOVER

+


5 500.00 

Возможные тесты на приборе

  • Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. 
  • Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. 
  • Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
  • Определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. 
  • Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. 
  • Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;
  • Определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.
+