ЭЛЕКТРОННО-ИОННЫЙ МИКРОСКОП JIB-4500 C МИКРОМАНИПУЛЯТОРОМ IB-32010FPUS

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Прибор объединяет в себе растровый электронный микроскоп и растровый ионный микроскоп и оснащен системой локального нанесения С и W из газовой фазы. Электронная  пушка - на основе LaB6 эмиттера,  ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника. Электронная пушка - на основе LaB6 эмиттера,  ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника.

JEOL JIB-4500 Multibeam - бюджетная двухлучевая (ионно-электронная) система с автоэмиссионным LaB6 источником электронов и ионной пушкой для микротравления производства компании JEOL (Япония)
JEOL Ltd. - мировой лидер в производстве и разработке сканирующих (растровых) электронных микроскопов (РЭМ), просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ), анализаторов поверхности (ОЖЕ микроанализаторы, фотоэлектронные спектрометры, электронно-зондовые микроанализаторы EPMA), системы с фокусированным ионным пучком, масс-спектрометров, спектрометров ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и систем электронно-лучевой литографии для производства полупроводниковых приборов.

JEOL JIB-4500 MultiBeam – это недорогой в обслуживании высокопроизводительный растровый электронный микроскоп (РЭМ) с катодом из гексаборида лантана + высокопроизводительная приставка со сфокусированным ионным пучком (Focused ion beam).

Прибор оснащен высокочувствительными детекторами, которые могут работать одновременно в режиме реального времени.

В JIB-4500 реализована запатентованная технология резки и трехмерной реконструкции S3 TM, которая позволяет формировать различные объемные структуры.

Прибор может оснащаться инжекторами для напыления чувствительных и проводящих образцов углеродом или вольфрамом.

Также, непосредственно в камеру образцов данного прибора возможна установка наноманипуляторов серии Omniprobe, которые позволяют производить различные механические манипуляции с модифицируемыми объектами.

Основные технические характеристики

Параметры электронно-оптической системы: разрешение (30кВ, рабочий отрезок 6 мм), нм
2,5 н

Параметры электронно-оптической системы: диапазон увеличений, крат
8-300000

Параметры электронно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30

Параметры ионно-оптической системы: разрешение (30кВ), нм
5 нм

Диапазон измерений линейных размеров, мкм
0,003-50

Параметры ионно-оптической системы: диапазон увеличений, крат 
100-300000

Параметры ионно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30

Производитель
JEOL, Япония

Назначение

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Описание

Микроскоп представляет собой стационарную автоматизированную измерительную систему, выполненную на базе растрового электронного микроскопа и работающую в диапазоне измерений микро- и наноразмеров.

Микроскоп состоит из электронно-оптической системы (колонны), ионной колонны с галлиевым жидкометаллическим источником ионов, камеры образцов с механизмом для их перемещения, детектора вторичных электронов, вакуумной системы, видеоконтрольного устройства, блока электроники.

Вакуумная система включает в себя турбомолекулярный и форвакуумный насосы для откачки рабочей камеры микроскопа и гетероионный насос для обеспечения вакуума в области ионной пушки.

Принцип получения изображения в микроскопе заключается в модуляции яркости монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.

Наличие сфокусированного ионного зонда позволяет производить локальное контролируемое травление образца ионным пучком, при этом режимы травления регулируются изменением ускоряющего напряжения и тока ионного пучка. Контроль параметров рельефа, модифицированного в результате ионного травления (измерение линейных размеров) осуществляется в режиме растрового электронного микроскопа.

Программное обеспечение

Управление микроскопом осуществляют с помощью встроенного контроллера и внешней ПЭВМ с использованием специализированного программного обеспечения (ПО).

Уровень защиты программного обеспечения от непреднамеренных и преднамеренных изменений соответствует уровню «С» по МИ 3286-2010.

Идентификационные данные программного обеспечения представлены в таблице 1. Таблица 1.

Наименование

ПО

Идентификационное наименование ПО

Номер

версии

ПО

Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма)

Алгоритм вычисления цифрового идентификатора ПО

Программа управления процессом измерений и обработки результатов измерений

Multi Beam System Control Program

1.04

BA7A106561F93C5Е9

46D513ЕA6D3155C44

6B292ЕCC7AC714A69

466220DC0F68F

ГОСТ Р 34.11-94

Технические характеристики

Метрологические и технические характеристики приведены в Таблице 2. Таблица 2

Наименование характеристики

Значение

Диапазон измерений линейных размеров элементов топологии, мкм

от 0,1 до 1000

Пределы допускаемой относительной погрешности измерений линейных размеров элементов топологии, %:

- в диапазоне от 0,1 до 0,2 мкм

±11

- в диапазоне от 0,2 до 0,4 мкм

±7

- в диапазоне от 0,4 до 1000 мкм

±5

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 30 кВ (образец - кремний), нм, не более

25

Разрешение при возбуждении электронным пучком и ускоряющем напряжении 30 кВ, нм

2,5

Напряжение питания от сети переменного тока частотой (50±1) Гц, В

220+22-зз

Потребляемая мощность, кВ-А

4,7

Масса, кг

1000

Г абаритные размеры (длина х ширина х высота), мм

1820х1100х1700

Рабочие условия эксплуатации:

- температура окружающей среды, °С

20±5

- относительная влажность воздуха, не более, >#/p###

95

- атмосферное давление, кПа

84-107

Знак утверждения типа

наносится в виде наклейки на электронно-оптическую систему (колонну) прибора и титульный лист технической документации фирмы-изготовителя типографским способом.

Комплектность

В комплект поставки входят: микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500, комплект ЗИП, расходные материалы, техническая документация фирмы-изготовителя.

Поверка

осуществляется по ГОСТ Р 8.631-2007 «Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки».

Средства поверки: мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К.

Сведения о методах измерений

Техническое описание «Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 фирмы «JEOL», Япония»

Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к микроскопу электронно-ионному растровому JIB-4500

Техническая документация фирмы-изготовителя.

Рекомендации к применению

- применяется вне сферы государственного регулирования обеспечения единства измерений.