Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур на SEM микроскопе S-4800

18 000.00 
Цена в баллах: 18000 баллов
+

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Методики измерений:

  • ФР.1.27.2017.27749 Линейные размеры элементов рельефа поверхности ступенчатой формы по вертикальной оси. Методика измерений с использованием принципов фотограмметрии при помощи микроскопа электронного растрового S-4800.
  • ФР.1.27.2011.09321 Рекомендация «Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800»
Оборудование:
Микроскоп электронный растровый S-4800
Отрасль промышленности:
Научные исследования
Производитель:
HITACHI
Стандарт ГОСТ/ISO/ASTM:
28123 ФР.1.27.2017.27749 Измерение линейных размеров элементов рельефа поверхности ступенчатой формы по вертикальной оси с использованием принципов фотограмметрии при помощи микроскопа электронного растрового S-4800 в диапазоне измерений линейных размеро

Описание СИ (50413-12.pdf, 257 Kb) [Скачать]

Свидетельство СИ (50413-12-000001.jpg, 122 Kb) [Скачать]