Исследование оптических параметров полупроводниковых материалов на ИК-Фурье спектрометре высокого разрешения Bruker IFS-113v

4 000.00 
Цена в баллах: 4000 баллов
+

Исследование оптических параметров полупроводниковых материалов на ИК-Фурье спектрометре высокого разрешения Bruker IFS-113v

Для измерения оптических спектров пропускания, отражения в ИК диапазоне, определения концентрации различных органических и неорганических веществ в твердой и жидких фазах, продукции нефтехимического производства, органического синтеза, продуктах питания, фармацевтики и т.п., для применения в качестве отдельных автономных приборов, так и в составе автоматизированных систем управления качеством технологического процесса в аналитических лабораториях промышленного производства, научно-исследовательских и учебных организаций.

    Анализ материалов и структур микротехнологии

    Стехиометрия состава, тип химической связи, плотность и пористость материалов оказывают влияние на спектральное положение и форму характерных полос поглощения. Например, характеристики полос поглощения 3650 см-1 и 3400 см-1 связанных с водородными связями в гидроксильных группах и адсорбированной водой зависят от количества гидроксильных групп на поверхности пленки и от пористости окисла. Оценить толщину окисной пленки на поверхности кремния можно по интерференционным полосам, наблюдающихся в спектрах поглощения. Свойства других примесей, которые могут существовать в SiO2 также определяются из характеристик соответствующих полос поглощения.

    Несколько примеров использования ИК спектроскопии для исследовании материалов и структур микроэлектроники:

    • Изучение свойств диэлектрических полупроводниковых подложек, используемых в микроэлектронике и прозрачных в ИК области спектра.
    • Исследования оптических свойств слоев нитрида и диоксида кремния, полученных различными технологическими методами.
    • Измерения концентрации примесей кислорода, углерода в кремниевых подложках. Исследования связанных состояний и преципитатов азота, водорода, фтора в кремнии и поликремнии.
    • Измерение толщины эпитаксиальных слоев на поверхности полупроводников.
    • Боросиликатные, фосфоросиликатные стекла и силициды.
    • Гидрогенизированный аморфный кремний, кремний-германий, кремний-углерод. Пористый кремний, пленки алмаза, нитрида бора.
    • Пленки полиимида, SOI, SIMOX и другие материалы и структуры микро и нанотехнологии.

    Оборудование:
    Спектрометр ИК Фурье IFS-113v
    Производитель:
    Bruker