Результаты поискаНайдено товаров: 91



16 000.00 

Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.

+

20 000.00 

Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час

Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.

Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды

titan

Технические характеристики:
Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;
Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;
Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;
Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;
Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;
Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);
Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;
Полный автоматический контроль.


+

9 000.00 

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

+

2 600.00 

Биологическая визуализация и измерение содержания различных органических и неорганических веществ в твердых и жидких образцах по спектрам комбинационного рассеяния, а также химический анализ поверхности твердых образцов на LabRam HR Evolution

+



12 000.00 

Диспергирование,  гомогенизация, перемешивание, смешение в потоке, эмульгирование на диспергаторе MagicLab

+




20 000.00 

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

+

Свяжитесь с нами насчёт цены

Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM


60 000.00 

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

+


30 000.00 

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

+



14 000.00 

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

+

5 500.00 

Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде

+



3 000.00 

Исследование образца методом спектрофотометрии в УФ- и видимой области спектра

+

5 000.00 

Исследование образца методом ядерной магнитной релаксации

+

9 800.00 
Исследование поверхности, исследование топографии микро- и нанообъектов на сканирующем электронном микроскопе Philipls SEM515
+


32 000.00 

Исследование термодеструкции образца методом совмещенного термоанализа с идентификацией продуктов разложения

+

14 000.00 

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

+

24 000.00 
Исследование элементного состава образца с картированием по 3 областям на сканирующем электронном микроскопе Quattro  с возможностью работы в низком...
+

9 000.00 

Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии

+



12 000.00 

Качественный анализ состава образца (органических соединений) методом высокоэффективной жидкостной хромато-масс-спектрометрии (ионизация электрораспылением)

+


3 900.00 

Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной абсорбционной спектроскопии (за элемент)

+





9 000.00 

Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии

+




24 000.00 

Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии

+


29 600.00 

Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров

+

24 000.00 

Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров

+

18 000.00 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

+