Элементы обозначенные тегом "анализ топографии поверхности":

Анализ поверхности материалов и образцов методами оптической микроскопии на прямом микроскопе Carl Zeiss Axio Imager M2

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

Микроскопы проходящего и отраженного света, они реализовывают все методы исследования и контрастирования, присущие этим способам освещения. Темное поле в отраженном свете с помощью эпи-объективов высокого класса и специальных конструкций гарантируют высокое качество и контраст в отраженном свете. Устойчивый штатив не выглядит массивным. В данном случае конструкция в виде "пирамиды" позволяет разместить элементы механического и электронного управления микроскопами компактно.

Атомно силовой микроскоп P100/P150 обладает возможностью проводить сканирование образцов с субнанометровым разрешением по оси Z , микроскоп P100 / P150 может быть использован для получения и анализа изображений с высокой разрешающей способностью. Интегрированный сканер с низким уровнем шума и с открытым контуром позволяет быстро и эффективно проводить эксперименты на 15 мкм на 15 мкм. 

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

Основные технические характеристики

Диффузионная длина (LD) 10 ÷ 2000 мкм при LD < t

Концентрация металла (Fe) 10⁹ ÷ 10¹³ см⁻³

Погрешность измерений: 15 ÷ 30 >#/p###

Исследования и наблюдения образцов образцов очень небольшого размера в инфракрасном свете через микроскоп HYPERION 

ИК-микроскопия используется для анализа образцов в очень малом количестве (от 0,01 до 100 мкг) или малых размеров (от 10–1 до 10–3 мм), а также концентрационных флуктуаций и включений.

Для ИК-Фурье спектроскопии микрообъектов в режиме пропускания образцы должны быть оптически тонкими, т.е. обычно толщиной 5-15 μм. Если образцы расположены на отражающей подложке, можно применять режим отражения. Штатно предлагается 15-кратный объектив, а для более мелких образцов 20 и 36-кратные объективы. Для неотражающих и непрозрачных образцов может использоваться режим НПВО (нарушенного полного внутреннего отражения). 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

Измерение поверхности: лазерный сканирующий микроскоп LSM 5 Exciter - с помощью лазерного сканирующего микроскопа LSM 5 Exciter компания Carl Zeiss MicroImaging предлагает пользователям, занимающимся исследованиями материалов и анализом качества, микроскопическую систему, которая также анализирует относительно мягкие материалы, такие как полимеры, с помощью бесконтактной процедуры и с высокой точностью измерения и разрешением. Микроскоп увеличивает скорость, надежность и удобство анализа материала. Специальные функции программного обеспечения позволяют проводить количественный анализ поверхности и анализ материалов. С помощью бесконтактной конфокальной техники можно визуализировать и измерить 2D- и 3D-топографии, определить шероховатость и волнистость, а также измерить пористость и объемное содержание с высокой степенью качества и надежности.

Сканирующий тест, анализ топографии поверхности, проведение 3D исследования на электронном двухлучевом микроскопе Quanta 3D FEG