Научные исследования, научные анализы, измерения параметров, тестирования, определения свойств
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
регистрация ИК спектра, анализ ИК спектра, ИК анализ жидкости, ИК исследование, инфракрасный анализ, инфракрасный анализ жидкости
Исследование морфологии поверхности на сканирующем электронном микроскопе
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в жидкой среде
Исследование образца методом оптической микроскопии на микроскопе высокого разрешения Imager Carl Zeiss
Исследование образца методом спектрофотометрии в УФ- и видимой области спектра