Элементы обозначенные тегом "исследова кристаллографической структуры":

Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.

Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Исследование кристаллической структуры образца с применением электронной дифракции на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Решение кристаллической структуры образца с использованием электронной томографии обратного пространства на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z