Микроскопические тесты и исследования

Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии

Сканирующий тест, анализ топографии поверхности, проведение 3D исследования на электронном двухлучевом микроскопе Quanta 3D FEG

Решение кристаллической структуры образца с использованием электронной томографии обратного пространства на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Оптический микроскопический тест лабораторное исследование с возможностью документирования на микроскопе PrimoStar пр-ва Carl Zeiss 

Определение элементного состава с использованием методики энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии с картированием по 3 областям на ПЭМ микроскопе Titan Themis Z

Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа

Нанесение токопроводящих покрытии для исследования образца методом электронной микроскопии

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см. Используется обычный кантилевер (контактный/бесконтакнтный)

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

Измерение поверхности: лазерный сканирующий микроскоп LSM 5 Exciter - с помощью лазерного сканирующего микроскопа LSM 5 Exciter компания Carl Zeiss MicroImaging предлагает пользователям, занимающимся исследованиями материалов и анализом качества, микроскопическую систему, которая также анализирует относительно мягкие материалы, такие как полимеры, с помощью бесконтактной процедуры и с высокой точностью измерения и разрешением. Микроскоп увеличивает скорость, надежность и удобство анализа материала. Специальные функции программного обеспечения позволяют проводить количественный анализ поверхности и анализ материалов. С помощью бесконтактной конфокальной техники можно визуализировать и измерить 2D- и 3D-топографии, определить шероховатость и волнистость, а также измерить пористость и объемное содержание с высокой степенью качества и надежности.

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

Основные технические характеристики

Диффузионная длина (LD) 10 ÷ 2000 мкм при LD < t

Концентрация металла (Fe) 10⁹ ÷ 10¹³ см⁻³

Погрешность измерений: 15 ÷ 30 >#/p###