Микроскопические тесты и исследования

Решение кристаллической структуры образца с использованием электронной томографии обратного пространства на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Исследование кристаллической структуры образца с применением электронной дифракции на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Изучение зеренной структуры образца с определением плотности дислокаций на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Определение элементного состава с использованием методики энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии с картированием по 3 областям на ПЭМ микроскопе Titan Themis Z

Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z

Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

Основные технические характеристики

Диффузионная длина (LD) 10 ÷ 2000 мкм при LD < t

Концентрация металла (Fe) 10⁹ ÷ 10¹³ см⁻³

Погрешность измерений: 15 ÷ 30 >#/p###

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Анализ микро- и наноструктуры твердотельных объектов, измерение линейных размеров деталей структуры, наблюдаемых на изображении, и межплоскостных  расстояний  в режиме дифракции на просвечивающем электронном микроскопе JEM-2100

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см. Используется обычный кантилевер (контактный/бесконтакнтный)

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Аналитическое исследование тестирование материалов на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis 200 c корректором сферической аберрации в режиме изображений и высокоскоростным энергодисперсионным рентгеновским микроанализатором. 

Прибор используется для измерений геометрических расстояний и размеров элементов микро- и ультраструктуры тонкопленочных образцов (ультратонких срезов ткани, залитой в полимер, и суспензий микрочастиц (вплоть до наноразмерных), нанесенных на полимерную пленку-подложку). Применяется в материаловедении, биологических, медицинских исследованиях, а также при оценке биобезопасности продукции наноиндустрии и нанотехнологий.

Сканирующий тест, анализ топографии поверхности, проведение 3D исследования на электронном двухлучевом микроскопе Quanta 3D FEG

Измерение поверхности: лазерный сканирующий микроскоп LSM 5 Exciter - с помощью лазерного сканирующего микроскопа LSM 5 Exciter компания Carl Zeiss MicroImaging предлагает пользователям, занимающимся исследованиями материалов и анализом качества, микроскопическую систему, которая также анализирует относительно мягкие материалы, такие как полимеры, с помощью бесконтактной процедуры и с высокой точностью измерения и разрешением. Микроскоп увеличивает скорость, надежность и удобство анализа материала. Специальные функции программного обеспечения позволяют проводить количественный анализ поверхности и анализ материалов. С помощью бесконтактной конфокальной техники можно визуализировать и измерить 2D- и 3D-топографии, определить шероховатость и волнистость, а также измерить пористость и объемное содержание с высокой степенью качества и надежности.

Атомно силовой микроскоп P100/P150 обладает возможностью проводить сканирование образцов с субнанометровым разрешением по оси Z , микроскоп P100 / P150 может быть использован для получения и анализа изображений с высокой разрешающей способностью. Интегрированный сканер с низким уровнем шума и с открытым контуром позволяет быстро и эффективно проводить эксперименты на 15 мкм на 15 мкм. 

Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

Оптический микроскопический тест лабораторное исследование с возможностью документирования на микроскопе PrimoStar пр-ва Carl Zeiss 

Система гель-документирования Gel Doc XR+ создана на базе CCD камеры высокого разрешения и чувствительности, и позволяет решать основные задачи анализа и документирования гелей и мембран. Gel Doc XR+ подходит для работы с широким спектром образцов, от полиакриламидных и агарозных гелей до блотов, и позволяет использовать такие методы детекции, как денситометрия, флуоресценция и колориметрия. Полная автоматизация всех процессов и программное обеспечение Image Lab позволяют быстро получать точные и воспроизводимые результаты.

Исследование на акустическом микроскопе для объемных структур KSI v-350lm

Анализ поверхности материалов и образцов методами оптической микроскопии на прямом микроскопе Carl Zeiss Axio Imager M2

Исследование образца методом оптической микроскопии на микроскопе высокого разрешения Imager Carl Zeiss