Микроскопические тесты и исследования

Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии

Сканирующий тест, анализ топографии поверхности, проведение 3D исследования на электронном двухлучевом микроскопе Quanta 3D FEG

Решение кристаллической структуры образца с использованием электронной томографии обратного пространства на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Оптический микроскопический тест лабораторное исследование с возможностью документирования на микроскопе PrimoStar пр-ва Carl Zeiss 

Определение элементного состава с использованием методики энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии с картированием по 3 областям на ПЭМ микроскопе Titan Themis Z

Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа

Нанесение токопроводящих покрытии для исследования образца методом электронной микроскопии

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см. Используется обычный кантилевер (контактный/бесконтакнтный)

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

Измерение поверхности: лазерный сканирующий микроскоп LSM 5 Exciter - с помощью лазерного сканирующего микроскопа LSM 5 Exciter компания Carl Zeiss MicroImaging предлагает пользователям, занимающимся исследованиями материалов и анализом качества, микроскопическую систему, которая также анализирует относительно мягкие материалы, такие как полимеры, с помощью бесконтактной процедуры и с высокой точностью измерения и разрешением. Микроскоп увеличивает скорость, надежность и удобство анализа материала. Специальные функции программного обеспечения позволяют проводить количественный анализ поверхности и анализ материалов. С помощью бесконтактной конфокальной техники можно визуализировать и измерить 2D- и 3D-топографии, определить шероховатость и волнистость, а также измерить пористость и объемное содержание с высокой степенью качества и надежности.

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

Основные технические характеристики

Диффузионная длина (LD) 10 ÷ 2000 мкм при LD < t

Концентрация металла (Fe) 10⁹ ÷ 10¹³ см⁻³

Погрешность измерений: 15 ÷ 30 >#/p###

Атомно силовой микроскоп P100/P150 обладает возможностью проводить сканирование образцов с субнанометровым разрешением по оси Z , микроскоп P100 / P150 может быть использован для получения и анализа изображений с высокой разрешающей способностью. Интегрированный сканер с низким уровнем шума и с открытым контуром позволяет быстро и эффективно проводить эксперименты на 15 мкм на 15 мкм. 

Микроскопы проходящего и отраженного света, они реализовывают все методы исследования и контрастирования, присущие этим способам освещения. Темное поле в отраженном свете с помощью эпи-объективов высокого класса и специальных конструкций гарантируют высокое качество и контраст в отраженном свете. Устойчивый штатив не выглядит массивным. В данном случае конструкция в виде "пирамиды" позволяет разместить элементы механического и электронного управления микроскопами компактно.

Исследование образца методом оптической микроскопии на микроскопе высокого разрешения Imager Carl Zeiss

Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в жидкой среде

Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде

Исследование на акустическом микроскопе для объемных структур KSI v-350lm

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

Исследование морфологии поверхности на сканирующем электронном микроскопе

Исследование кристаллической структуры образца с применением электронной дифракции на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Изучение зеренной структуры образца с определением плотности дислокаций на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Аналитическое исследование тестирование материалов на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis 200 c корректором сферической аберрации в режиме изображений и высокоскоростным энергодисперсионным рентгеновским микроанализатором. 

Прибор используется для измерений геометрических расстояний и размеров элементов микро- и ультраструктуры тонкопленочных образцов (ультратонких срезов ткани, залитой в полимер, и суспензий микрочастиц (вплоть до наноразмерных), нанесенных на полимерную пленку-подложку). Применяется в материаловедении, биологических, медицинских исследованиях, а также при оценке биобезопасности продукции наноиндустрии и нанотехнологий.

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Система гель-документирования Gel Doc XR+ создана на базе CCD камеры высокого разрешения и чувствительности, и позволяет решать основные задачи анализа и документирования гелей и мембран. Gel Doc XR+ подходит для работы с широким спектром образцов, от полиакриламидных и агарозных гелей до блотов, и позволяет использовать такие методы детекции, как денситометрия, флуоресценция и колориметрия. Полная автоматизация всех процессов и программное обеспечение Image Lab позволяют быстро получать точные и воспроизводимые результаты.

Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час

Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.

Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды

Технические характеристики:
Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;
Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;
Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;
Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;
Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;
Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);
Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;
Полный автоматический контроль.

Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.