Сканирующая электронная микроскопия

Электронная сканирующая микроскопия – это использование оборудования, которое может давать увеличение в сотни тысяч крат. И именно этим объясняется возможность наблюдения за объектами сверхмалых размеров, а также получать не только информацию о их поверхности, но и о химическом составе верхних слоев исследуемого объекта.


16 000.00 
Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe оснащен двумя колонами электронной Elstar с высокоточной технологией UC+ для...
+


9 000.00 

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

+




20 000.00 

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

+


60 000.00 

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

+


30 000.00 

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

+