Сканирующая электронная микроскопия

Электронная сканирующая микроскопия – это использование оборудования, которое может давать увеличение в сотни тысяч крат. И именно этим объясняется возможность наблюдения за объектами сверхмалых размеров, а также получать не только информацию о их поверхности, но и о химическом составе верхних слоев исследуемого объекта.



16 000.00 
Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe оснащен двумя колонами электронной Elstar с высокоточной технологией UC+ для...
+


9 000.00 

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

+




20 000.00 

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

+

8 000.00 

Аналитическое исследование тестирование материалов на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis 200 c корректором сферической аберрации в режиме изображений и высокоскоростным энергодисперсионным рентгеновским микроанализатором. 

Прибор используется для измерений геометрических расстояний и размеров элементов микро- и ультраструктуры тонкопленочных образцов (ультратонких срезов ткани, залитой в полимер, и суспензий микрочастиц (вплоть до наноразмерных), нанесенных на полимерную пленку-подложку). Применяется в материаловедении, биологических, медицинских исследованиях, а также при оценке биобезопасности продукции наноиндустрии и нанотехнологий.

+

99 000.00 

Изучение зеренной структуры образца с определением плотности дислокаций на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

+


60 000.00 

Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

+

20 000.00 

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

+


30 000.00 

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

+

112 000.00 

Исследование кристаллической структуры образца с применением электронной дифракции на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

+

14 000.00 

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

+

9 800.00 
Исследование поверхности, исследование топографии микро- и нанообъектов на сканирующем электронном микроскопе Philipls SEM515
+

14 000.00 

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

+

24 000.00 
Исследование элементного состава образца с картированием по 3 областям на сканирующем электронном микроскопе Quattro  с возможностью работы в низком...
+

99 000.00 
Исследование элементного состава образца, включая легкие элементы, с использованием спектроскопии энергетических потерь электронов (EELS) (получение...
+

145 000.00 

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

+

18 000.00 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

+

18 000.00 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

+



75 000.00 

Определение элементного состава с использованием методики энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии с картированием по 3 областям на ПЭМ микроскопе Titan Themis Z

+

10 800.00 
Описание лабораторного тестирования: Получение изображения поверхности образца методом сканирующей электронной микроскопии Используемое...
+

15 950.00 
Описание лабораторного тестирования: Получение изображения поверхности образца методом сканирующей электронной микроскопии Используемое...
+






221 000.00 

Решение кристаллической структуры образца с использованием электронной томографии обратного пространства на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z

+