Краткое описание

Тематика научных исследований ЦКП НИЦПВ
- фундаментальные и прикладные проблемно-ориентированные исследования особенностей взаимодействия измерительных зондов, пучков заряженных частиц, рентгеновского и оптического излучений с наноструктурированными объектами;
-  разработка и создание методов и средств обеспечения единства измерений в нанотехнологиях, стандартизированных методик измерений и калибровки (поверки), стандартных образцов состава, структуры, размера и свойств;
- исследования способов повышения достоверности и точности измерений в нанотехнологиях методами: растровой электронной, просвечивающей электронной, атомно-силовой, туннельной, оптической ближнего поля, магнитно-силовой,  оже-электронной, ионной микроскопий; электронно-зондового рентгеноспектрального анализа, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, масс-спектрометрии вторичных ионов, локального рентгенофлуоресцентного анализа, рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением, EXAFS- и XANES- спектроскопии; электронографии, дифракции медленных электронов, малоуглового рентгеновского рассеяния, рентгеновской рефлектометрии; комбинационного рассеяния света, эллипсометрии, динамического светорассеяния, люминесцентной спектроскопии, ИК-фурье-спектроскопии.

Направления научных исследований, проводимых в ЦКП:

• метрологическое обеспечение и стандартизация в области нанотехнологий;
• разработка методов и средств передачи единиц величин в нанометровый диапазон;
• испытания для целей утверждения типа, поверка и калибровка средств измерений, применяемых в области нанотехнологий;
• разработка и аттестация методик измерений, применяемых в области нанотехнологий;
• метрологическая экспертиза технической документации, разрабатываемой в области нанотехнологий.

Методики измерений, проводимых в ЦКП:

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью измерительного стенда для выходного контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур

Геометрические параметры кристаллических рельефных наноструктур. Методика измерений с помощью стенда для проведения предварительных испытаний кристаллических рельефных наноструктур

ГОСТ 8.591-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки

ГОСТ 8.593-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика поверки

ГОСТ 8.594-2009 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика поверки

ГОСТ Р 8.696-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра

ГОСТ Р 8.629-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки

ГОСТ Р 8.630-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки

ГОСТ Р 8.631-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки

ГОСТ Р 8.635-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки

ГОСТ Р 8.636-2007 Государственная система обеспечения единства измерений. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки

ГОСТ Р 8.644-2008 Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки

ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа

ГОСТ Р 8.698-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра

ГОСТ Р 8.700-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Методика измерений эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа

Государственная система обеспечения единства измерений. Преобразователи акустической эмиссии. Методика поверки. МИ 3124-2008

ГСИ. Высокоразрешающие пространственно-угловые рефлектометрические измерения. Методика выполнения измерений с помощью высокоразрешающего сканирующего рефлектометра.

ГСИ. Гомогенность кристаллических объектов. Методика выполнения измерений методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.

ГСИ. Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecnai G2 30 S-TWIN с рентгеновским спектрометром фирмы EDAX

ГСИ. Интегральные структурные параметры наночастиц и кластеров в моно- полидисперсных системах, толщина и период повторяемости в тонких пленках. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра с позиционно-чувствительным детектором «АМУР-К»

ГСИ. Линейные и объемные дефекты в кристаллических структурах. Методика выполнения измерений с помощью двухкристального рентгеновского топографического спектрометра

ГСИ. Линейные размеры объектов в диапазоне 2-100 мкм. Методика выполнения измерений на оптическом микроскопе Carl Zeiss E2

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемые в ионных и электронных лучах. Методика выполнения измерений с помощью микроскопа Quanta 200 3D

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микро-рельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F

ГСИ. Линейные размеры элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов. Методика выполнения измерений с помощью растровых электронных микроскопов JSM-840 и BS-340

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,08 ÷ 60 нм; распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102 (модернизированного)

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах в диапазоне 0,1 ÷ 60 нм. Распределение интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронографа ЭМР-102.

ГСИ. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа EM-430ST.

ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47.

ГСИ. Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Prima

ГСИ. Метрические параметры полимерных микро-капсул в водных суспензиях. Методика выполнения измерений с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE

ГСИ. Микротвердость материалов. Методика выполнения измерений микротвердости с помощью микротвердомера ПМТ-3.

ГСИ. Нарушенные слои и нанесенные покрытия. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.

ГСИ. Объемное и удельное сопротивления высокоомных кристаллических диэлектриков и полупроводников. Методика выполнения измерений.

ГСИ. Определение политипов монокристаллов карбида кремния. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детектором

ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 10-800К. Методика выполнения измерений с помощью четырехкружных рентгеновских дифрактометров Enraf-Nonius и Huber.

ГСИ. Ориентация образца, параметры элементарной ячейки и симметрия монокристаллов в области температур 90-490К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S

ГСИ. Ориентировка крупных кристаллов на рентгеновском дифрактометре. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.

ГСИ. Параметры структуры монокристаллов и сложных многослойных нанокомпозиций. Методика выполнения измерений рентгенодифракционным методом.

ГСИ. Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом.

ГСИ. Пространственное распределение атомов в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского спектрометра АССВ.

ГСИ. Спектральные показатели ослабления конденсированных сред в диапазоне длин волн 0,2-50 мкм. Методика выполнения измерений спектрофотометрическим методом.

ГСИ. Структура поверхности кристалла при дифракции электронов на отражение. Методика выполнения измерений электронографическим методом.

ГСИ. Фазовый анализ поликристаллов. Методика выполнения измерений с помощью координатного рентгеновского дифрактометра КАРД-6.

ГСИ. Эффективная шероховатость поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47

Диаметр микро- и нанообъектов сферической формы. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200

Измерение линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100

Линейные параметры отверстий в тонких мембранах. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200

Линейные размеры микро- и нанообъектов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа S-4800

МВИ вольт-апмперной характеристики наноструктур с абсолютным значением силы электрического тока, протекающего через наноструктуру, в диапазоне от 100 пА до 100 нА при изменении приложенного напряжения в диапазоне от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений.

МВИ геометрических параметров наноразмерных полупроводниковых многослойных гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F

МВИ геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения

МВИ геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристаллов

МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью растрового электронного микроскопа

МВИ диаметра микро- и нанообъектов сферической формы с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima

МВИ диаметров верхнего и нижнего отверстий в мембранах известной толщины с помощью растрового электронного микроскопа

МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа

МВИ линейных размеров (диаметра и длины) углеродных нанотрубок с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F

МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа Quanta 200

МВИ линейных размеров микро- и нанообъектов с помощью растрового электронного микроскопа S-4800МВИ линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100

МВИ линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов, регистрируемых в ионных и электронных пучках с помощью микроскопа Quanta 200 3D

МВИ локального химического состава трехкомпонентных тонких пленок твердых материалов методом электронной оже-спектроскопии, а именно мольных долей элементов, входящих в состав пленок

МВИ локального электрического сопротивления наноматериалов и наноструктур с монотонной вольтамперной характеристикой с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерения электрического тока в диапазоне 100 пА-10 нА

МВИ локальной электрической емкостьи нанообъектов и наноструктур с шероховатостью поверхности (Rmax) не более 10 нм, электрическим сопротивлением не менее 1 ГОм и емкостью, постоянной в диапазоне приложенных напряжений от минус 10 В до 10 В, с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа для электрофизических измерений, предназначенного для измерений параметров электрического тока

МВИ массовых долей элементов однородных по составу пленок толщиной от 10 нм до 100 нм на подложке, состоящей из элементов отличных от элементов пленки, методом электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа с использованием спектрометрического (энергодисперсионного) блока детектирования рентгеновского излучения и массивных однородных образцов в качестве стандартных образцов

МВИ межплоскосных расстояний в режиме дифракции и линейных размеров объектов в режиме изображения с помощью просвечивающего электронного микроскопа

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах и распределения интенсивностей в дифракционных картинах с помощью электронного дифрактометра

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах по электронным микродифракционным картинам. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра (электронографа)

МВИ межплоскостных расстояний в кристаллах с помощью просвечивающего электронного микроскопа

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima

МВИ метрических параметров поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H

МВИ метрических параметров полимерных микрокапсул в водных суспензиях с помощью оптического микроскопа Leica TCS SPE

МВИ метрических параметров топографии поверхности полупроводниковых многослойных наногетероструктур с помощью атомно-силового микроскопа Dimension 3100

МВИ мольной доли алюминия в эпитаксиальных пленках AlxGa1-xAs, выращенных на подложке GaAs, с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения

МВИ относительной толщины пленки FeNiCo на кремниевой подложке

МВИ параметров элементарной ячейки монокристаллов

МВИ периода структур, состоящих из узких штрихов, с помощью растрового электронного микроскопа

МВИ политипов монокристаллов карбида кремния с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S с координатным детекторомМВИ размерных параметров наночастиц и тонких пленок с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра

МВИ размеров частиц в жидкой суспензии с помощью автоматического анализатора Delsa Nano

МВИ распределения по глубине монокристаллического кремния содержания бора

МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания кремния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы

МВИ распределения по глубине слоя нитрида галлия содержания магния в структурах полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе нитридов III группы

МВИ толщин слоев гетероструктур с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7001F

МВИ толщины диэлектрических пленок на пластинах кремния

МВИ толщины однослойной тонкой пленки, а также суммарной толщины и размера межслоевого периода многослойных тонких пленок с помощью порошкового рентгеновского дифрактометра со спектрометрическим (энергодисперсионным) блоком детектирования рентгеновского излучения

МВИ химического состава наноразмерных структур на основе оксидов переходных металлов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а именно относительной доли атомов переходного металла с выбранной степенью окисления.

МВИ химического состава поверхности с помощью блока детектирования рентгеновского излучения кремниевого в составе растрового электронного микроскопа

МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового атомно-силового микроскопа

МВИ эффективной высоты шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver Р47

МВИ эффективной высоты шероховатости сверхгладких поверхностей подложек

МВИ эффективной шероховатости поверхности с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima

Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным микродифракционным картинам

Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа по электронным нанодифракционным картинам

Методика выполнения измерений геометрических параметров продукции нанотехнологий на сканирующих оптических микроскопах ближнего поля в режиме квазитрения

Методика выполнения измерений геометрических параметров трехмерного распределения локального оптического поля на сканирующих микроскопах ближнего поля с использованием стандартных образцов наноструктур и фотонных кристалов

Методика выполнения измерений с помощью ПЭМ Tecnai G² 30 S-TWIN геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 0,25 нм до 200нм

Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 5 нм до 100 нм

Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа JSM-7401F геометрических параметров продукции нанотехнологий в диапазоне от 70 нм до 100 мкм

Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры проявленных в резисте структур и неравномерность ширины элементов резистивной маски на поверхности кремниевых пластин

Методика измерений и контроля параметров кристаллических рельефных наноструктур. Линейные размеры структур в оксидной маске на поверхности кремниевых пластин

Методика измерений и контроля параметров экспериментальных образцов кристаллических рельефных наноструктур. Радиусы скругления углов при верхнем основании рельефных элементов на поверхности кремниевых пластин

Методика поверки. Оптический микроскоп AxioImager m2M

ГСИ. Акустико-эмиссионные информационно-измерительные комплексы Лель/A-Line 32D (DDM). Методика Поверки МП 12-03

Отклонение рабочей поверхности кремниевой пластины от кристаллографической плоскости (100). Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра D8 DISCOVER

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Aura

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P47H

Метрические параметры поверхности. Методика выполнения измерений с помощью сканирующей зондовой нанолаборатории Ntegra Aura

Неравномерность ширины верхнего основания кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающей электронной микроскопии

Параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью электроннозондового рентгеноспектрального микроанализа

Параметры шаговой структуры в тонком слое монокристаллического кремния. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур

Параметры шероховатости сверхгладких поверхностей. Методика выполнения измерений рентгеновским методом

Параметры элементарной ячейки монокристаллов в области температур 90-490 К. Методика выполнения измерений с помощью рентгеновского дифрактометра Xcalibur S

Период в непериодических структурах, состоящих из узких штрихов. Методика выполнения измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Радиул скругления угла при верхнем основании рельефного элемента кристаллической рельефной наноструктуры. Методика измерений с помощью электронно-ионного микроскопа JIB 4500 и просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100

Размер наночастиц керамик в полимерном материале (гранулах и пленке). Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Размер частиц наноструктурированного гидроксида магния. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Размерные параметры наноструктурированных объектов. Методика измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа с регистрацией изображения на фотопленку

Степень интеркалированния (эксфолиации) слоистых силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью рентгеновского дифрактометра ARL X'TRA

Толщина наноразмерных пластин силикатов в полимерной матрице. Методика измерений с помощью растрового электронного микроскопа

Ширина верхнего основания и шаг трапецеидальных рельефных элементов в монокристаллическом кремнии. Методика измерений с помощью стенда для входного и пооперационного контроля процесса изготовления кристаллических рельефных наноструктур