Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Анализ распределения частиц по размеру в диапазоне 0,1 - 1000 мкм, диспергированных в воде или органическом растворителе
Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час
Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час
Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z
Диспергирование, смешение в потоке
Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Измерение массовой доли влаги, анализ влажности
Измерение содержания различных органических и неорганических веществ в твердых и жидких образцах по спектрам комбинационного рассеяния, а также для химического анализа поверхности твердых образцов на LabRam HR Evolution
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде
Исследование образца методом оптической микроскопии на микроскопе высокого разрешения Imager Carl Zeiss
Исследование образца методом спектрофотометрии в УФ- и видимой области спектра
Исследование образца методом ядерной магнитной релаксации
Исследование термодеструкции образца методом совмещенного спектрального термоанализа
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии
Качественный (полуколичественный) анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Качественный анализ состава образца (органических соединений) методом высокоэффективной жидкостной хромато-масс-спектрометрии (ионизация электрораспылением)
Количественное определение галогенов в органических соединениях
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной абсорбционной спектроскопии (за элемент)
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной эмиссионной спектроскопии с индуктивно связанной плазмой (за образец)
Количественный CHNOS-элементный анализ твердых и жидких органических соединений
Количественный анализ твердых образцов рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением
Количественный анализ органических соединений методом высокоэффективной жидкостной хроматографии (за одно соединение)
Количественный анализ органических соединений методом газовой хроматографии с пламенно-ионизационным детектированием (за одно соединение)
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Определение дзета-потенциала частиц методом лазерного динамического светорассеивания
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Получение 'Н ЯМР-спектра образца
Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе
Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Центрифугирование
Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM