Научные исследования, научные анализы, измерения параметров, тестирования, определения свойств
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 2 категории сложности
Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z
Получение набора двумерных ЯМР-спектров для растворимого образца COSY, TOCSY, NOESY, HSQC, НМВС
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 1 категории сложности
Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z
Регистрация одномерного ЯМР спектра при переменной температуре
Определение концентрации одного элемента в твердой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Исследование термодеструкции образца методом совмещенного термоанализа с идентификацией продуктов разложения
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в режиме фрагментации
Исследование термодеструкции образца методом совмещенного спектрального термоанализа
Регистрация 13С ЯМР-спектра твердого образца
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (твердый образец)
Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Определение гидросильных групп образца методом ЯМР спектрометрии на ядрах Р. с предварительным фосфитилированием
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час
Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.
Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды
Технические характеристики:Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;Полный автоматический контроль.
Количественное определение галогенов в органических соединениях
Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа
Определение количественного соотношения кристаллических фаз и степени кристалличности вещества посредством рентгеноструктурного анализа
Количественный CHNOS-элементный анализ твердых и жидких органических соединений
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в линейном режиме
Определение точного значения массы иона с помощью матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.
Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в жидкой среде
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Диспергирование, гомогенизация, перемешивание, смешение в потоке, эмульгирование на диспергаторе MagicLab
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной эмиссионной спектроскопии с индуктивно связанной плазмой (за образец)
Качественный анализ состава образца (органических соединений) методом высокоэффективной жидкостной хромато-масс-спектрометрии (ионизация электрораспылением)
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра углерода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра фосфора на спектрометре Agilent