Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe
Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe оснащен двумя колонами электронной Elstar с высокоточной технологией UC+ для получения изображений с высоким разрешением и ионной Phoenix для наиболее быстрой, простой и наиболее точной пробоподготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии. Совмещение двух колон позволяет проводить эксперименты по визуализации пористости, химического состава, кристаллографической ориентировки зерен с использованием методики Slice-and-view. Микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe позволяет проводить изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен и т.д., поскольку оборудован детекторами ETD, TLD, DBS, EDX, EBSD, STEM 3+, с возможностью работы в BF, DF и HAADF режимах.
Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2018, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды
Технические характеристики:
Электронный пучок (E-beam):
0,6 нм при 30 кВ (СПЭМ);
0,6 нм в диапазоне 15 кВ-2 кВ;
Ионный пучок (I-beam):
4,0 нм при 30 кВ;
2,5 нм при 30 кВ;
Диапазон ускоряющих напряжений:
E-beam: 20 В – 30 кВ;
I-beam: 500 В – 30 кВ;
Диапазон токов:
E-beam: >0,8 пА;
I-beam: 0,1 пА – 2,5 мкА.