Научные исследования, научные анализы, измерения параметров, тестирования, определения свойств
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в линейном режиме
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в режиме фрагментации
Определение гидросильных групп образца методом ЯМР спектрометрии на ядрах Р. с предварительным фосфитилированием
Определение дзета-потенциала частиц методом лазерного динамического светорассеивания
Определение количественного соотношения кристаллических фаз и степени кристалличности вещества посредством рентгеноструктурного анализа
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение концентрации одного элемента в твердой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии
Определение точного значения массы иона с помощью матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа
Получение 13C ЯМР-спектра хорошо растворимого в растворителях для ЯМР образца
Получение 'Н ЯМР-спектра образца
Получение набора двумерных ЯМР-спектров для растворимого образца COSY, TOCSY, NOESY, HSQC, НМВС
Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (жидкий образец)
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (твердый образец)
Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии
Пробоподготовка методом лиофильного высушивания
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Регистрация 13С ЯМР-спектра твердого образца
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
регистрация ИК спектра, анализ ИК спектра, ИК анализ жидкости, ИК исследование, инфракрасный анализ, инфракрасный анализ жидкости
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Регистрация одномерного ЯМР спектра при переменной температуре
Регистрация ЯМР спектра фосфора на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра кремния 29 Si на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра углерода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра фтора 19F на спектрометре Agilent
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 1 категории сложности
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 2 категории сложности
Центрифугирование
Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии
Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM