Научные исследования, научные анализы, измерения параметров, тестирования, определения свойств
Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии
Определение точного значения массы иона с помощью матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в режиме фрагментации
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в линейном режиме
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
Исследование образца методом спектрофотометрии в УФ- и видимой области спектра
регистрация ИК спектра, анализ ИК спектра, ИК анализ жидкости, ИК исследование, инфракрасный анализ, инфракрасный анализ жидкости
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
Количественный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Качественный (полуколичественный) анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной абсорбционной спектроскопии (за элемент)
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной эмиссионной спектроскопии с индуктивно связанной плазмой (за образец)
Количественное определение галогенов в органических соединениях
Количественный CHNOS-элементный анализ твердых и жидких органических соединений
Измерение массовой доли влаги, анализ влажности
Диспергирование, гомогенизация, перемешивание, смешение в потоке, эмульгирование на диспергаторе MagicLab
Центрифугирование
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Биологическая визуализация и измерение содержания различных органических и неорганических веществ в твердых и жидких образцах по спектрам комбинационного рассеяния, а также химический анализ поверхности твердых образцов на LabRam HR Evolution
Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z
Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z
Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.
Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час
Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час
Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.
Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды
Технические характеристики:Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;Полный автоматический контроль.
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV