ЭЛЕКТРОННО-ИОННЫЙ МИКРОСКОП JIB-4500 C МИКРОМАНИПУЛЯТОРОМ IB-32010FPUS
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Прибор объединяет в себе растровый электронный микроскоп и растровый ионный микроскоп и оснащен системой локального нанесения С и W из газовой фазы. Электронная пушка - на основе LaB6 эмиттера, ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника. Электронная пушка - на основе LaB6 эмиттера, ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника.
JEOL JIB-4500 Multibeam - бюджетная двухлучевая (ионно-электронная) система с автоэмиссионным LaB6 источником электронов и ионной пушкой для микротравления производства компании JEOL (Япония)
JEOL Ltd. - мировой лидер в производстве и разработке сканирующих (растровых) электронных микроскопов (РЭМ), просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ), анализаторов поверхности (ОЖЕ микроанализаторы, фотоэлектронные спектрометры, электронно-зондовые микроанализаторы EPMA), системы с фокусированным ионным пучком, масс-спектрометров, спектрометров ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и систем электронно-лучевой литографии для производства полупроводниковых приборов.
JEOL JIB-4500 MultiBeam – это недорогой в обслуживании высокопроизводительный растровый электронный микроскоп (РЭМ) с катодом из гексаборида лантана + высокопроизводительная приставка со сфокусированным ионным пучком (Focused ion beam).
Прибор оснащен высокочувствительными детекторами, которые могут работать одновременно в режиме реального времени.
В JIB-4500 реализована запатентованная технология резки и трехмерной реконструкции S3 TM, которая позволяет формировать различные объемные структуры.
Прибор может оснащаться инжекторами для напыления чувствительных и проводящих образцов углеродом или вольфрамом.
Также, непосредственно в камеру образцов данного прибора возможна установка наноманипуляторов серии Omniprobe, которые позволяют производить различные механические манипуляции с модифицируемыми объектами.
Основные технические характеристики
Параметры электронно-оптической системы: разрешение (30кВ, рабочий отрезок 6 мм), нм
2,5 н
Параметры электронно-оптической системы: диапазон увеличений, крат
8-300000
Параметры электронно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30
Параметры ионно-оптической системы: разрешение (30кВ), нм
5 нм
Диапазон измерений линейных размеров, мкм
0,003-50
Параметры ионно-оптической системы: диапазон увеличений, крат
100-300000
Параметры ионно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30
Производитель
JEOL, Япония
Назначение
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 (далее - микроскоп) предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Описание
Микроскоп представляет собой стационарную автоматизированную измерительную систему, выполненную на базе растрового электронного микроскопа и работающую в диапазоне измерений микро- и наноразмеров.
Микроскоп состоит из электронно-оптической системы (колонны), ионной колонны с галлиевым жидкометаллическим источником ионов, камеры образцов с механизмом для их перемещения, детектора вторичных электронов, вакуумной системы, видеоконтрольного устройства, блока электроники.
Вакуумная система включает в себя турбомолекулярный и форвакуумный насосы для откачки рабочей камеры микроскопа и гетероионный насос для обеспечения вакуума в области ионной пушки.
Принцип получения изображения в микроскопе заключается в модуляции яркости монитора видеоконтрольного устройства сигналами, пропорциональными числу зарегистрированных вторичных электронов, возникающих при сканировании сфокусированного электронного или ионного зонда по поверхности объекта. Отношение размера изображения на мониторе к размеру растра на образце определяет увеличение микроскопа.
Наличие сфокусированного ионного зонда позволяет производить локальное контролируемое травление образца ионным пучком, при этом режимы травления регулируются изменением ускоряющего напряжения и тока ионного пучка. Контроль параметров рельефа, модифицированного в результате ионного травления (измерение линейных размеров) осуществляется в режиме растрового электронного микроскопа.
Программное обеспечение
Управление микроскопом осуществляют с помощью встроенного контроллера и внешней ПЭВМ с использованием специализированного программного обеспечения (ПО).
Уровень защиты программного обеспечения от непреднамеренных и преднамеренных изменений соответствует уровню «С» по МИ 3286-2010.
Идентификационные данные программного обеспечения представлены в таблице 1. Таблица 1.
Наименование ПО | Идентификационное наименование ПО | Номер версии ПО | Цифровой идентификатор ПО (контрольная сумма) | Алгоритм вычисления цифрового идентификатора ПО |
Программа управления процессом измерений и обработки результатов измерений | Multi Beam System Control Program | 1.04 | BA7A106561F93C5Е9 46D513ЕA6D3155C44 6B292ЕCC7AC714A69 466220DC0F68F | ГОСТ Р 34.11-94 |
Технические характеристики
Метрологические и технические характеристики приведены в Таблице 2. Таблица 2
Наименование характеристики | Значение |
Диапазон измерений линейных размеров элементов топологии, мкм | от 0,1 до 1000 |
Пределы допускаемой относительной погрешности измерений линейных размеров элементов топологии, %: - в диапазоне от 0,1 до 0,2 мкм | ±11 |
- в диапазоне от 0,2 до 0,4 мкм | ±7 |
- в диапазоне от 0,4 до 1000 мкм | ±5 |
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 30 кВ (образец - кремний), нм, не более | 25 |
Разрешение при возбуждении электронным пучком и ускоряющем напряжении 30 кВ, нм | 2,5 |
Напряжение питания от сети переменного тока частотой (50±1) Гц, В | 220+22-зз |
Потребляемая мощность, кВ-А | 4,7 |
Масса, кг | 1000 |
Г абаритные размеры (длина х ширина х высота), мм | 1820х1100х1700 |
Рабочие условия эксплуатации: - температура окружающей среды, °С | 20±5 |
- относительная влажность воздуха, не более, >#/p### | 95 |
- атмосферное давление, кПа | 84-107 |
Знак утверждения типа
наносится в виде наклейки на электронно-оптическую систему (колонну) прибора и титульный лист технической документации фирмы-изготовителя типографским способом.
Комплектность
В комплект поставки входят: микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500, комплект ЗИП, расходные материалы, техническая документация фирмы-изготовителя.
Поверка
осуществляется по ГОСТ Р 8.631-2007 «Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки».
Средства поверки: мера ширины и периода специальная МШПС-2.0К.
Сведения о методах измерений
Техническое описание «Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 фирмы «JEOL», Япония»
Нормативные и технические документы, устанавливающие требования к микроскопу электронно-ионному растровому JIB-4500
Техническая документация фирмы-изготовителя.
Рекомендации к применению
- применяется вне сферы государственного регулирования обеспечения единства измерений.