Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Прибор объединяет в себе растровый электронный микроскоп и растровый ионный микроскоп и оснащен системой локального нанесения С и W из газовой фазы. Электронная пушка - на основе LaB6 эмиттера, ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника. Электронная пушка - на основе LaB6 эмиттера, ионная пушка – на основе галлиевого жидкометаллического источника.
Основные технические характеристики
Параметры электронно-оптической системы: разрешение (30кВ, рабочий отрезок 6 мм), нм
2,5 н
Параметры электронно-оптической системы: диапазон увеличений, крат
8-300000
Параметры электронно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30
Параметры ионно-оптической системы: разрешение (30кВ), нм
5 нм
Диапазон измерений линейных размеров, мкм
0,003-50
Параметры ионно-оптической системы: диапазон увеличений, крат
100-300000
Параметры ионно-оптической системы: диапазон регулировки ускоряющего напряжения, кВ
0,3-30
Производитель
JEOL, Япония