Исследование термодеструкции образца методом совмещенного спектрального термоанализа
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии
Качественный (полуколичественный) анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Качественный анализ состава образца (органических соединений) методом высокоэффективной жидкостной хромато-масс-спектрометрии (ионизация электрораспылением)
Количественное определение галогенов в органических соединениях
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной абсорбционной спектроскопии (за элемент)
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной эмиссионной спектроскопии с индуктивно связанной плазмой (за образец)
Количественный CHNOS-элементный анализ твердых и жидких органических соединений
Количественный анализ твердых образцов рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением
Количественный анализ органических соединений методом высокоэффективной жидкостной хроматографии (за одно соединение)
Количественный анализ органических соединений методом газовой хроматографии с пламенно-ионизационным детектированием (за одно соединение)
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия