Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии
Центрифугирование
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 2 категории сложности
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 1 категории сложности
Регистрация ЯМР спектра фтора 19F на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра фосфора на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра углерода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра кремния 29 Si на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Регистрация одномерного ЯМР спектра при переменной температуре
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
регистрация ИК спектра, анализ ИК спектра, ИК анализ жидкости, ИК исследование, инфракрасный анализ, инфракрасный анализ жидкости
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
Регистрация 13С ЯМР-спектра твердого образца
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Пробоподготовка методом лиофильного высушивания
Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (твердый образец)
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (жидкий образец)
Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе
Получение набора двумерных ЯМР-спектров для растворимого образца COSY, TOCSY, NOESY, HSQC, НМВС
Получение 'Н ЯМР-спектра образца
Получение 13C ЯМР-спектра хорошо растворимого в растворителях для ЯМР образца
Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Определение точного значения массы иона с помощью матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации
Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Определение концентрации одного элемента в твердой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение количественного соотношения кристаллических фаз и степени кристалличности вещества посредством рентгеноструктурного анализа
Определение дзета-потенциала частиц методом лазерного динамического светорассеивания
Определение гидросильных групп образца методом ЯМР спектрометрии на ядрах Р. с предварительным фосфитилированием
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в режиме фрагментации
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в линейном режиме
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии на анализаторе EDX-800HS
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный анализ твердых образцов рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением
Количественный анализ органических соединений методом газовой хроматографии с пламенно-ионизационным детектированием (за одно соединение)
Качественное определение состава образца органических соединений методом газовой хромато-масс-спектрометрии
Количественный анализ органических соединений методом высокоэффективной жидкостной хроматографии (за одно соединение)
Количественный CHNOS-элементный анализ твердых и жидких органических соединений
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной эмиссионной спектроскопии с индуктивно связанной плазмой (за образец)
Количественное определение металлов в органических соединениях методом атомной абсорбционной спектроскопии (за элемент)
Количественное определение галогенов в органических соединениях
Качественный анализ состава образца (органических соединений) методом высокоэффективной жидкостной хромато-масс-спектрометрии (ионизация электрораспылением)
Качественный (полуколичественный) анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
Исследование термодеструкции образца методом совмещенного термоанализа с идентификацией продуктов разложения
Исследование термодеструкции образца методом совмещенного спектрального термоанализа
Исследование образца методом ядерной магнитной релаксации
Исследование образца методом спектрофотометрии в УФ- и видимой области спектра
Исследование образца методом оптической микроскопии на микроскопе высокого разрешения Imager Carl Zeiss
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в жидкой среде
Исследование образца методом атомно-силовой микроскопии в воздушной среде
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
Исследование морфологии поверхности на сканирующем электронном микроскопе
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
Изучение морфологии наночастиц в ПЭМ и СПЭМ режимах на просвечивающем электронном микроскопе с пробкорректором Titan Themis Z
Изучение многослойных структур в режиме СПЭМ, включая исследование элементного состава образца по линии на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Изучение кристаллографической ориентировки зеренной структуры на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.
Измерение массовой доли влаги, анализ влажности
Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
идентификация образца методом рентгеновской дифрактометрии
Диспергирование, гомогенизация, перемешивание, смешение в потоке, эмульгирование на диспергаторе MagicLab
Визуализация многослойных структур и гетероструктур с атомарным разрешением на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themis Z
Биологическая визуализация и измерение содержания различных органических и неорганических веществ в твердых и жидких образцах по спектрам комбинационного рассеяния, а также химический анализ поверхности твердых образцов на LabRam HR Evolution
Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час
Аренда Просвечивающего (сканирующего) электронного микроскопа Titan Themis Z (с оператором ЦКП) за час
Просвечивающий (сканирующий) электронный микроскоп Titan Themis Z позволяет изучать тонкую структуру образцов. Микроскоп Titan Themis Z оснащен пробкорректором для коррекции сферических аберраций, что существенно улучшает разрешающую способность микроскопа. Микроскоп оснащен приставками для проведения элементного анализа с использованием методик энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (Super-X EDX детектор) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (Quantum 965). Методики, используемые в электронной микроскопии, такие как HRTEM, HRSTEM, EDX, EELS, Mono-STEM-EELS, STEM-EELS, HAADF, ABF и др. позволяют получить полное представление о структуре, наличии дефектов в кристаллической структуре, фазовом и химическом составе и др.
Год, фирма-изготовитель, страна-изготовитель: 2017, TFS (ThermoFisherScientific), Нидерланды
Технические характеристики:Разрешающая способность в просвечивающем режиме 120 пм;Разрешающая способность в сканирующем режиме с пробкорректором 60 пм;Разрешающая способность монохроматора 0,15 эВ;Разрешающая способность при 80 кВ: 100 пм;Высокостабильная сверхяркая электронная пушка Шоттки с возможностью работы на ускоряющих напряжениях: 80 кВ, 120 кВ, 200 кВ, 300 кВ;Детектор Super-X EDX для энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (≤ 136 эВ для линии Mn-Kα и ≤ 140 эВ для Mn-Kα);Детектор Quantum 965 для спектроскопии энергетических потерь электронов;Полный автоматический контроль.
Микроскоп двухлучевой электронно-ионный сканирующий Helios G4 PFIB UXe предназначен для измерений линейных размеров элементов микро- и нанорельефа поверхности твердотельных образцов, исследования их элементного состава и кристаллографической структуры, проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов сфокусированным пучком ионов Xe, а также подготовки поперечных срезов для просвечивающего электронного микроскопа.
Анализ распределения частиц по размеру в диапазоне 0,1 - 1000 мкм, диспергированных в воде или органическом растворителе
Анализ морфологии частиц на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM