Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Центрифугирование
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии
Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе
Получение 'Н ЯМР-спектра образца
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение дзета-потенциала частиц методом лазерного динамического светорассеивания
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный анализ органических соединений методом газовой хроматографии с пламенно-ионизационным детектированием (за одно соединение)