Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии
Центрифугирование
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 2 категории сложности
Регистрация, расшифровка и интерпретация двумерных ЯМР спектров 1 категории сложности
Регистрация ЯМР спектра фтора 19F на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра фосфора на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра углерода на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра кремния 29 Si на спектрометре Agilent
Регистрация ЯМР спектра водорода на спектрометре Agilent
Регистрация одномерного ЯМР спектра при переменной температуре
Регистрация и расшифровка рентгеноструктурных дифрактограмм кристаллических веществ
Регистрация и анализ масс-спектра ионизации электрораспылением образца
регистрация ИК спектра, анализ ИК спектра, ИК анализ жидкости, ИК исследование, инфракрасный анализ, инфракрасный анализ жидкости
Регистрация и анализ ИК спектра жидкости в диапазоне 3000 - 600 см'1
Регистрация 13С ЯМР-спектра твердого образца
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
Пробоподготовка методом лиофильного высушивания
Приготовление тонких срезов образцов для исследования методом электронной микроскопии
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (твердый образец)
Получение ЯМР спектров на ядрах F и Р (жидкий образец)
Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе
Получение набора двумерных ЯМР-спектров для растворимого образца COSY, TOCSY, NOESY, HSQC, НМВС
Получение 'Н ЯМР-спектра образца
Получение 13C ЯМР-спектра хорошо растворимого в растворителях для ЯМР образца
Определение элементного состава микроучастка поверхности на растровом электронном микроскопе с помощью приставок для волнодисперсионного или энергодисперсионного ренгенофлуоресцентного анализа
Определение удельной поверхности, общей пористости, распределения пор по размерам
Определение точного значения массы иона с помощью матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации
Определение степени кристалличности образца методом рентгеновской дифрактометрии
Определение плотности, объемной массы методом гидростатического взвешивания
Определение концентрации одного элемента в твердой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение концентрации одного элемента в жидкой пробе масс спектральным методом с индуктивно связанной плазмой
Определение количественного соотношения кристаллических фаз и степени кристалличности вещества посредством рентгеноструктурного анализа
Определение дзета-потенциала частиц методом лазерного динамического светорассеивания
Определение гидросильных групп образца методом ЯМР спектрометрии на ядрах Р. с предварительным фосфитилированием
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в режиме фрагментации
Масс-спектральный анализ матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации образца в линейном режиме
Лабораторный анализ на инфракрасном спектрометре ИК-спектроскопия
Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.
Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.
Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных, отраженных электронов и в режиме «напросвет».
Основные технические характеристики
Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ 1нм
Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ1,5 нм
Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВне более 10 нм.
Диапазон регулировки увеличения30¸800000 крат.
Диапазон измерения линейных размеров0,02¸10000 мкм
Погрешность измерений линейных размеров не более5 %.
Диапазон регулировки ускоряющего напряжения0,1¸30 кВ
Производитель:Hitachi, Япония
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии на анализаторе EDX-800HS
Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии
Количественный анализ твердых образцов рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражением
Количественный анализ органических соединений методом газовой хроматографии с пламенно-ионизационным детектированием (за одно соединение)