Элементы обозначенные тегом "анализ топографии поверхности":

Товары

4 000.00 

Анализ поверхности материалов и образцов методами оптической микроскопии на прямом микроскопе Carl Zeiss Axio Imager M2

+

12 000.00 
Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца, при диапазоне...
+

1 650.00 

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм

+

20 000.00 

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

+

20 000.00 

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

+

14 000.00 

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

+

2 000.00 

Микроскопы проходящего и отраженного света, они реализовывают все методы исследования и контрастирования, присущие этим способам освещения. Темное поле в отраженном свете с помощью эпи-объективов высокого класса и специальных конструкций гарантируют высокое качество и контраст в отраженном свете. Устойчивый штатив не выглядит массивным. В данном случае конструкция в виде "пирамиды" позволяет разместить элементы механического и электронного управления микроскопами компактно.

+

9 800.00 
Исследование поверхности, исследование топографии микро- и нанообъектов на сканирующем электронном микроскопе Philipls SEM515
+

6 000.00 

Атомно силовой микроскоп P100/P150 обладает возможностью проводить сканирование образцов с субнанометровым разрешением по оси Z , микроскоп P100 / P150 может быть использован для получения и анализа изображений с высокой разрешающей способностью. Интегрированный сканер с низким уровнем шума и с открытым контуром позволяет быстро и эффективно проводить эксперименты на 15 мкм на 15 мкм. 

+

19 000.00 

Исследование физико-химических свойств поверхности нанообъектов и наноструктур с помощью современных методов зондовой микроскопии. Точность измерения перемещения (система сканирования) по вертикали 0,1 нм, в латеральном направлении – 1 нм.

Возможна работа в режиме АСМ и СТМ.

Возможность работы в контактном, прерывисто-контактном и бесконтактном режиме.

Производитель: ЗАО “НТ-МДТ”, Россия

Основные технические характеристики

Диффузионная длина (LD) 10 ÷ 2000 мкм при LD < t

Концентрация металла (Fe) 10⁹ ÷ 10¹³ см⁻³

Погрешность измерений: 15 ÷ 30 >#/p###

+


4 000.00 

Исследования и наблюдения образцов образцов очень небольшого размера в инфракрасном свете через микроскоп HYPERION 

ИК-микроскопия используется для анализа образцов в очень малом количестве (от 0,01 до 100 мкг) или малых размеров (от 10–1 до 10–3 мм), а также концентрационных флуктуаций и включений.

Для ИК-Фурье спектроскопии микрообъектов в режиме пропускания образцы должны быть оптически тонкими, т.е. обычно толщиной 5-15 μм. Если образцы расположены на отражающей подложке, можно применять режим отражения. Штатно предлагается 15-кратный объектив, а для более мелких образцов 20 и 36-кратные объективы. Для неотражающих и непрозрачных образцов может использоваться режим НПВО (нарушенного полного внутреннего отражения). 


+