Items marked by the "тест на SEM" tag:

Аренда сканирующего электронного микроскопа Quattro S с возможностью работы в низком вакууме (с оператором ЦКП) за час

Изготовление и визуализация кросс секции на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

Микроскоп электронно-ионный растровый JIB-4500 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.

Предназначен для управляемого локального травления сфокусированным ионным пучком проводящих и непроводящих объектов с заданным рисунком. В совокупности с микроманипулятором  IB-32010FPUS идеально подходит для оперативной подготовки образцов из выбранной области для исследования в ПЭМ.

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Получение снимка поверхности на растровом электронном микроскопе

Сканирующий тест, анализ топографии поверхности, проведение 3D исследования на электронном двухлучевом микроскопе Quanta 3D FEG