Элементы обозначенные тегом "элементный анализ":

Товары

145 000.00 

Картирование элементного состава образца с использованием методики энергодисперсионной спектроскопии EDX с атомным разрешением по 3 областям на просвечивающем электронном микроскопе Titan Themiz S с пробкорректором

+

69 000.00 

Выполнение спектрального анализа Al, Ba, Bi, Cr элементов в твердых пробах на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов) 

+

69 000.00 

Выполнение спектрального анализа K, Li, Na, Sr элементов в твердых пробах на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов)

+

69 000.00 

Выполнение спектрального анализа Cd, Co , Cu, Fe, Mn, Ni, Pb, Zn элементов в твердых пробах на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов)

+


46 000.00 

Выполнение спектрального анализа Ca, Mg элементов в твердых пробах на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов) 

+

46 000.00 

Выполнение спектрального анализа одного элемента на  выбор в твердых пробах на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов) 

+

45 000.00 

Выполнение спектрального анализа элементов Al, В, Вi, Cd, Co, Cr, Cu, Mn, Ni, Pb, Zn в жидкой пробе на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов)

+

45 000.00 

Выполнение спектрального анализа элементов Ba, Ca, Fe, Li, Mg, Sr в жидкой пробе на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов) 

+




32 000.00 

Выполнение спектрального анализа элементов K, Na в жидкой пробе на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов)

+

32 000.00 

Выполнение спектрального анализа элементов Ga, In, Tl в жидкой пробе на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов) 

+


29 600.00 

Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом волнодисперсионной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров

+

28 000.00 

Выполнение спектрального анализа одного элемента на выбор в жидкой пробе на атомно-эмиссионном спектрометре ICPE-9000 (комплект 10 образцов)

+

24 000.00 
Исследование элементного состава образца с картированием по 3 областям на сканирующем электронном микроскопе Quattro  с возможностью работы в низком...
+

24 000.00 

Количественный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии

+

24 000.00 

Количественный без эталонный анализ элементного состава образца методом энергодисперсинной рентгенофлуоресцентной спектроскопии с использованием метода фундаментальных параметров

+

20 000.00 

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

+



18 000.00 

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

+