Москва

Поиск

+7(495)661-61-09Пн-Пт: 9:00-18:00
Заказать обратный звонок

Элементы обозначенные тегом "SEM исследование":

Товары

Сортировать по алфавиту: от Я до А
12 На страницу
Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM
62 000.00 ₽

Элементный анализ образца с картированием по 3 областям на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe FPIB/SEM

+ −
Купить в один клик
Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии
15 950.00 ₽

Элементный анализ микрообъектов с использованием метода сканирующей электронной микроскопии

+ −
Купить в один клик
Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM
34 000.00 ₽

Проведение элементного анализа образца по 5 точкам на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEM

+ −
Купить в один клик
Лабораторное исследование, получение нано- и микро-изображений, спектральный точечный тест на электронном сканирующем микроскопе JSM-6490LV
5 200.00 ₽

Лабораторное исследование и получение изображения на электронный сканирующем микроскопе JSM-6490LV

+ −
Купить в один клик
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT
18 000.00 ₽

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур, элементный анализ от В до U на растровом электронном микроскопе JSM-6460LV и микроприставкой INCAX-SIGHT

+ −
Купить в один клик
Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур на SEM микроскопе S-4800
18 000.00 ₽

Количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур.

Применяется в материаловедении, микроэлектронике и полупроводниковых технологиях, геологии, биологии, медицине, металлургии. Оснащен автоэмиссионным катодом холодного типа.

Микроскоп обеспечивает работу в режимах регистрации вторичных,  отраженных электронов и в режиме «напросвет».

Основные технические характеристики

Разрешение при ускоряющем напряжении 15кВ   
1нм

Разрешение при ускоряющем напряжении 1кВ
1,5 нм

Эффективный диаметр электронного зонда во вторичных электронах при 15кВ
не более 10 нм.

Диапазон регулировки увеличения
30¸800000 крат.

Диапазон измерения линейных размеров
0,02¸10000 мкм

Погрешность измерений линейных размеров не более
5 %.

Диапазон регулировки ускоряющего напряжения
0,1¸30 кВ

Производитель:
Hitachi, Япония

+ −
Купить в один клик
Исследование элементного состава образца с картированием по 3 областям на сканирующем электронном микроскопе Quattro с возможностью работы в низком вакууме
24 000.00 ₽
Исследование элементного состава образца с картированием по 3 областям на сканирующем электронном микроскопе Quattro  с возможностью работы в низком...
+ −
Купить в один клик
Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S
14 000.00 ₽

Исследование элементного состава образца на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме Quattro S

+ −
Купить в один клик
Исследование поверхности, исследование топографии микро- и нанообъектов на сканирующем электронном микроскопе Philips SEM515
9 800.00 ₽
Исследование поверхности, исследование топографии микро- и нанообъектов на сканирующем электронном микроскопе Philipls SEM515
+ −
Купить в один клик
Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S
14 000.00 ₽

Исследование морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе с возможностью работы в низком вакууме SEM Quattro S 

+ −
Купить в один клик
Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов
30 000.00 ₽

Изучение морфологии поверхности образца на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 UXe PFIB/SEMс детектором обратно рассеянных электронов

+ −
Купить в один клик
Изучение морфологии и поверхности образца на сканирующем электронном микроскопе Quattro с низким вакуумом и детектором обратно рассеянных электронов
20 000.00 ₽

Изучение морфологии, микроструктуры, размера частиц, толщины пленок, гетероструктур их элементного и фазового составов, кристаллографической ориентировки зерен

+ −
Купить в один клик
 Назад
1 2
Вперед